2009年处理器领域的五枚重磅炸弹(1)(6)

●　AMD —— 沉浸式光刻技术

相对于Intel复杂的用料及工艺流程来说，AMD所采用的45nm技术则相对的简单，AMD的45纳米制程工艺是联合IBM一同研发。这项技术包括了超低K电介质互联技术、多重增强晶体管应变技术和沉浸式光刻技术。

对于AMD为什么到现在都没有使用High-K，很多朋友们都存在疑问，其实这得益于AMD自Athlon时代就开始使用的SOI工艺。SOI是Silicon On Isolator的缩写，即绝缘体上的硅技术。和传统的纯硅晶圆不同，SOI工艺使用的晶圆底部是一层绝缘层。这层绝缘体切断了上方MOS管漏电流的回路，使得基于SOI技术的芯片能够轻松抵抗漏电流。

AMD全新45nm技术

超低K电介质可以降低串联电容、降低写入延迟和能量消耗，从而明显提升性能功耗比。另外不得不提的便是沉浸式光刻技术，其是AMD在45nm的Phenom Ⅱ处理器生产中最新应用的技术之一，其区别于过去干式光刻最大的特点就是整个光刻的过程并不是发生在空气中，而是沉浸在一种光学折射率较大的透明液体中，从而让其在晶圆上更好的刻录晶体管。

在AMD的45nm Phenom II的生产中，整个晶圆是浸泡在去离子水(无杂质，无带电离子)中的，这种情况相当于将光刻的分辨率提高了1.44倍，正好满足65/45=1.44的工艺改进幅度。用这种工艺设计生产的SRAM芯片可获得约15％性能提升。

AMD采用沉浸式光刻技术的45nm晶圆

真正解决AMD在 45纳米技术难题的是多重增强晶体管应变技术 ，AMD和IBM称，与非应变技术相比，这一新技术能将P沟道晶体管的驱动电流提高80％，将N沟道晶体管的驱动电流提高24％。可见，制程的提升极大地提升了处理器的潜在性能，并同时赋予了产品更强的功耗控制能力。

● Intel及AMD 制作工艺解析简表

从以上的技术分析当中可以看出，无论是Intel还是AMD的45nm工艺，均能够很好的满足降低功耗及成本的目的，同时也带来了更明显的性能提升。可见45nm工艺是一个对消费者和芯片厂商都有利的技术。

45nm工艺虽然很好，但是其普及要比老一代的65nm工艺漫长许多。这主要原因就在于AMD在45nm工艺方面进度迟缓，在很长一段时间里无法将45nm工艺产品上市，这直接造成了AMD使用低端产品与Intel抗衡。很显然，Intel在无对手的情况下，虽然全系列产品都已经转换成为了45nm工艺，但其价格也因为AMD在技术方面的动作迟缓不愿降低。这种情况一直到AMD的首款45nm工艺产品上市才得到好转，而影响了45nm全面普及的产品便是AMD的羿龙II四核940。自羿龙II四核940上市开始，Intel便大幅度的将产品价格下调，让45nm产品线涵盖了从400元至万元的所有级别。与此同时，AMD方面也在加快着65nm产品的淘汰速度以及45nm工艺产品的上市速度。到09年9月，AMD也将产品线延伸至了高中低三个级别。至此，45nm工艺正式普及，计算机也全面进入了45nm工艺时代。

09年最有影响力的5大处理器技术之45nm工艺

重要指数：★★★★★
影响力指数：★★★★★
普及指数：★★★★★
实用指数：★★★★★
综合指数：★★★★★