智能存储

存储方面的智能芯片还有助于消除数据流差距。存储I/O的瓶颈存在于传统硬盘盘片和执行器臂以及从硬盘介质传送数据的速度限制之中，正如证据显示的那样，内存(100纳秒)和一流硬盘(10毫秒)之间的I/O(输入/输出)延迟相差5个数量级。

另一个限制是传统的缓存系统能够支持的内存数量(按GB衡量)只是一个硬盘容量(按TB衡量)的很小一部分。这两个产品没有提供改善性能的空间，只是在缓存设备中增加了若干GB的DRAM内存或者更多的转速更快的硬盘。

另一方面，以NAND闪存方式提供的固态存储能够特别有效地消除这个瓶颈，在与硬盘容量相当的情况下提供类似于内存的高速I/O。在这方面，智能芯片提供高级的损耗调整(wear-leveling)、无用单元收集和独特的减少数据的技术以改善闪存的耐用性和增强用于RAID式的数据保护的纠错算法。如图所示，闪存有助于消除DRAM内存与硬盘之间的容量与延迟的差距。

当闪存缓存加速卡直接安装在服务器PCIe总线上的时候，固态存储一般可提供最高水平的增强性能。嵌入式或者基于托管的智能缓存软件用于把“热数据”放在闪存内存中，在那里以20微秒的速度处理这些数据。这个速度比一流硬盘的2800毫秒快140倍。一些这种类型的卡支持多TB容量的固态硬盘存储。目前的新一类解决方案还提供内部闪存和SAS(串行SCSI)接口把高性能固态硬盘与RAID硬盘存储结合在一起。一个基于PCIe的闪存加速卡能够在DAS(直接附加存储)和SAN(存储局域网)环境中把数据库应用级性能提高5至10倍。

智能芯片是这些解决方案的核心。因此，不深入了解半导体厂商的观点，系统厂商就没有希望消除数据流的差距。


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